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J-GLOBAL ID：201502277324966715   整理番号：15A0725643

低温合成六方晶ダイヤモンド薄膜の特性評価

Characterization of low temperature synthesized hexagonal diamond thin films

著者 (4件)： KANG Kyungnam (Stevens Inst. of Technol., Dep. of Mechanical Engineering, 07030, Hoboken, NJ, USA) ,  KIM Jeonghwan (Louisiana State Univ., Div. of Electrical and Computer Engineering, 70803, Baton Rouge, LA, USA) ,  JIN Yoonyoung (Southern Univ., Next Generation Composite CREST Center, 70813, Baton Rouge, LA, USA) ,  AJMERA Pratul K. (Louisiana State Univ., Div. of Electrical and Computer Engineering, 70803, Baton Rouge, LA, USA)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 21  号： 7  ページ： 1395-1400  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al/Ni被覆熱酸化Siウエハ基板上の450°C光励起化学気相成長法により合成した六方晶ダイヤモンド薄膜の特性評価について報告した。六方晶ダイヤモンド薄膜の光学的,電気的,機械的特性の測定結果の報告は初めてである。六方晶ダイヤモンド薄膜の光学的な禁制帯幅はTaucプロットを利用した紫外可視分光法から得られ,約1.0eVであった。I-Vと相当弾性係数測定のために六方晶ダイヤモンド薄膜上でナノインデンターを利用した。Copyright 2014 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜 ,  *六方晶系 ,  化学合成 ,  *キャラクタリゼーション ,  *評価 ,  *電気的性質 ,  フォトニックバンドギャップ ,  スペクトロスコピー ,  ナノインデンテーション
準シソーラス用語： *ダイヤモンド薄膜 ,  *機械的特性評価 ,  *光学特性評価 ,  光禁制帯 ,  紫外可視分光法 ,  低温合成 ,  *六方晶

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温合成 ,  六方晶 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  特性評価