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J-GLOBAL ID：201502277693918392   整理番号：15A0506981

炭窒化ケイ素(SiCN)誘電体を用いた電荷トラッピング不揮発性メモリの電荷保持特性

Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics

著者 (6件)： AHMED S. R. A. (Tokai Univ.) ,  NAITO S. (Tokai Univ.) ,  SHIBAYAMA H. (Tokai Univ.) ,  NAKAMURA J. (Tokai Univ.) ,  KOBAYASHI K. (Tokai Univ.) ,  KOBAYASHI K. (Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12A-P12-3  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *素子構造 ,  キャリア捕獲 ,  保持時間 ,  電荷 ,  *ケイ素化合物 ,  *炭化物 ,  *窒化物 ,  誘電体 ,  酸化ケイ素 ,  電圧 ,  故障率
準シソーラス用語： *MONOS構造 ,  フラットバンド電圧 ,  *炭窒化ケイ素 ,  低k誘電体 ,  電荷トラッピング ,  電荷保持

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭窒化ケイ素 ,  誘電体 ,  電荷トラッピング ,  不揮発性メモリ ,  電荷 ,  保持特性