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J-GLOBAL ID：201502277744577455   整理番号：15A0298472

高電圧カスコードGaNデバイスのキャラクタリゼーションと強化

Characterization and Enhancement of High-Voltage Cascode GaN Devices

著者 (4件)： HUANG Xiucheng (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  LIU Zhengyang (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  LEE Fred C. (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  LI Qiang (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 2  ページ： 270-277  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デプレッションモードスイッチはエンハンスメントモードよりもオン抵抗が低く接合容量が小さいので,高周波で高効率が要求される用途に適している。デプレッションモードGaNスイッチと低電圧シリコンMOSFETを直列にした構造はカスコード構造として知られている。カスコード構造ではGaNとSi MOSFETとの電圧分配がSi MOFETのアバランシェやGaNスイッチの内部スイッチングロスをもたらす。カスコードGaNスイッチのスイッチングロスメカニズムをハードおよびソフトスイッチングモードでのパッケージ寄生インダクタンスの影響を含めて解析した。ロス解析によると,ハードスイッチング条件下では低電圧Si MOSFETの逆回復電荷とパッケージ寄生インダクタンスのためにターンオンロスは大きい。だが,ターンオフロスは固有電流源駆動メカニズムによって無視できる。ソフトスイッチング5MHzブーストコンバータを開発し,カスコードGaNの利点を示した。

シソーラス用語： 降伏 ,  縦続接続 ,  *窒化ガリウム ,  HF【周波数】 ,  実装 ,  インダクタンス ,  *スイッチング ,  DC-DCコンバータ ,  キャラクタリゼーション ,  高電圧 ,  寄生インダクタンス
準シソーラス用語： GaN ,  アバランシェ降伏 ,  *カスコード ,  ブーストコンバータ ,  高周波 ,  半導体素子パッケージング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電圧 ,  カスコード ,  GaN ,  キャラクタリゼーション ,  強化