文献

J-GLOBAL ID：201502277836532890   整理番号：15A0497984

次世代パワーデバイス封止材料に対応可能な高耐熱性樹脂

著者 (1件)： 大塚恵子 (大阪市工研)
資料名： コンバーテック  (Convertech)
巻： 43  号： 4  ページ： 130-132  発行年： 2015年04月15日 
JST資料番号： Y0873A  ISSN： 0911-2316  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,省エネルギーや環境低負荷の観点より,自動車,鉄道,エネルギー,家電等の分野で高効率なパワーデバイスの開発が求められ,従来はSi素子が用いられてきたが,半導体製品の高機能化・高電力密度の要求でその性能は限界となりつつあり,ワイドバンドギャップ半導体としてSiC半導体が低損失で,高温・高速動作ができて,次世代パワーデバイスとして注目されている。この素子を使うと,デバイス駆動温度は,従来の150~200°Cを越える高温化が予想され,エポキシに代わる封止材料が求められている。本稿は,著者等の行ってきたマレイミド樹脂ベースの次世代パワーデバイス封止材料に対応可能な高耐熱性樹脂を紹介した。1)はじめに,2)エポキシ樹脂による変性,3)ポリチオールによるマレイミド樹脂の強靭化,4)耐熱性封止材料,5)おわりに。

シソーラス用語： 技術革新 ,  *半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  *材料 ,  エポキシ樹脂 ,  代替案 ,  *酸イミド ,  *不飽和カルボン酸 ,  アリル化合物 ,  フェノール類 ,  窒素複素環化合物 ,  チオール ,  環状エーテル ,  改変 ,  耐熱性 ,  化合物半導体 ,  損失 ,  高温 ,  高速度 ,  動作
準シソーラス用語： *パワーデバイス ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  強靱化 ,  *炭化ケイ素素子 ,  低損失 ,  *封止材料

分類 (4件)： 抵抗性  (YH02050K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の成形  (YH04090Q) ,  その他の高分子材料  (YH07150C)

物質索引 (2件)： 4,4′-ビスマレイミドジフェニルメタン ,  ジアリルビスフェノールA

引用文献 (5件)：

• D. K. Ambika, N. C. P. Reghunadhan and K. N. Ninan, J. Appl. Polym. Sci., 106 1192 (2007)
• 大塚恵子、木村肇、松本明博、池下真二、中尾日六士:第64回ネットワークポリマー講演討論会要旨集,p.111(2014)
• 梶正史:日本接着学会誌,38,262(2002)
• 大塚恵子、木村肇、松本明博:ネットワークポリマー,35,24(2014)
• 樫野智將、山下勝志、高浜啓造、大塚恵子、木村肇、松本明博:ネットワークポリマー,35,31(2014)

タイトルに関連する用語 (4件)： 次世代 ,  パワーデバイス ,  封止材料 ,  高耐熱性