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J-GLOBAL ID：201502278240577175   整理番号：15A0461394

電子グレードSiCの化学蒸着のための臭素化化学

Brominated Chemistry for Chemical Vapor Deposition of Electronic Grade SiC

著者 (10件)： YAZDANFAR Milan (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  DANIELSSON OErjan (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  KALERED Emil (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  SUKKAEW Pitsiri (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  KORDINA Olle (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  NILSSON Daniel (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  IVANOV Ivan G. (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  OJAMAEE Lars (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZEN Erik (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  PEDERSEN Henrik (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 27  号： 3  ページ： 793-801  発行年： 2015年02月10日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶SiCのホモエピタキシャル成長に対する塩素化および臭素化化学の比較研究を,標準SiC CVDガス混合体への添加剤としてHClおよびHBrを用いて直接比較することにより行った。二つの化学を,ホモエピタキシャル成長実験,気相化学の熱化学的計算,表面化学の量子化学モデリングにより比較した。臭素化および塩素化化学は,材料品質,成長速度,ドーピング,およびホモエピタキシャル成長したSiC層の形態に極めて類似した結果をもたらし,また,CVD気相化学も極めて類似していた。やや高い成長速度が,臭素化化学において観察され,臭素化化学が塩素化化学より良好な選択といえる。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *化学蒸着 ,  *臭素化 ,  塩化水素 ,  臭化水素 ,  エピタクシー ,  六方晶系 ,  量子化学 ,  成長速度 ,  塩素化 ,  ドーピング
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子 ,  グレード ,  SiC ,  化学蒸着 ,  臭素化 ,  化学