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J-GLOBAL ID：201502278614671340   整理番号：15A0298501

TCAD使用におけるInGaAs低電界移動度のための層厚とストレス依存性補正

Layer Thickness and Stress-Dependent Correction for InGaAs Low-Field Mobility in TCAD Applications

著者 (4件)： PENZIN Oleg (Synopsys Inc., OR, USA) ,  SMITH Lee (Synopsys Inc., CA, USA) ,  ERLEBACH Axel (Synopsys Switzerland LLC, Zurich, CHE) ,  LEE Ko-Hsin (Synopsys Taiwan Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 2  ページ： 493-500  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V材料の移動度モデルはKubo-Greenwood近似に基づき,様々な散乱メカニズムを説明できるが,k空間の数値積分によるPoisson-Schroedinger方程式の解を要し,時間がかかってTCADシミュレーションには使いづらい。本稿の補正は単純化したフォノン制限移動度に基づき,形状的量子化とストレス効果を説明する。ストレス効果をバレーエネルギー変化と,有効質量のストレスに関連する変化とバレーの非パラボラ性のための線形変形ポテンシャルモデルでモデル化した。このモデルは,層厚にたいするダブルゲート構造のIn_0.53Ga_0.47ASにおける移動度の依存性で,文献データと良い一致を示した。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *移動度 ,  MOSFET ,  量子補正 ,  CAD【計算機】 ,  層厚 ,  応力 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： III-V半導体 ,  InGaAs ,  *TCAD ,  ストレス【力学】

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (6件)： TCAD ,  InGaAs ,  電界移動 ,  層厚 ,  ストレス ,  依存性