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J-GLOBAL ID：201502279053054475   整理番号：15A0432623

二次元半導体におけるキャリアプラズモン誘起非線形バンドギャップ繰込み

Carrier Plasmon Induced Nonlinear Band Gap Renormalization in Two-Dimensional Semiconductors

著者 (2件)： LIANG Yufeng (Washington Univ. St. Louis, Missouri, USA) ,  YANG Li (Washington Univ. St. Louis, Missouri, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 114  号： 6  ページ： 063001.1-063001.5  発行年： 2015年02月13日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *二次元 ,  *バンドギャップ ,  ドーピング ,  単一層 ,  硫化モリブデン ,  誘電関数 ,  モデル ,  プログラムパッケージ ,  分子動力学 ,  ab initio法 ,  プラズモン ,  Coulomb相互作用
準シソーラス用語： QUANTUM ESPRESSO ,  セレン化モリブデン ,  二硫化モリブデン

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二次元半導体 ,  キャリア ,  プラズモン ,  誘起 ,  非線形 ,  バンドギャップ ,  繰込み