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J-GLOBAL ID：201502279233269305   整理番号：15A0228738

rfスパッタしたSnO_x薄膜の特性に対する急速熱アニール温度の影響

Influence of rapid-thermal-annealing temperature on properties of rf-sputtered SnO thin films

著者 (9件)： JIANG Yu-Hao (Graduate Inst. of Applied Mechanics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  CHIU I-Chung (Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics & Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei ...) ,  KAO Peng-Kai (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  HE Jyun-Ci (Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics & Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei ...) ,  WU Yu-Han (Materials and Chemical Res. Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., Chutung 31040, Taiwan) ,  YANG Yao-Jhen (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  HSU Cheng-Che (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  CHENG I-Chun (Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics & Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei ...) ,  CHEN Jian-Zhang (Graduate Inst. of Applied Mechanics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 327  ページ： 358-363  発行年： 2015年02月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 赤外線急速熱アニール(RTA)法により処理したrf-スパッタSnO_x薄膜を調べた。膜を空気雰囲気中で2.5分間225,245,及び265°CでRTA処理した。X線回折分析の結果,膜中に金属Sn及びSnO相のあることが分かった。RTA処理後,金属Snは減少し,SnOの総量は増加した。膜中の金属Snの酸化は温度が225°Cから265°Cになるとより強くなった。X線光電子分光の結果,SnO相がRTA処理後主要な相になることが明らかになった。可視波長域における透過度はRTA処理後よくなり,アニール温度とともに大きくなった。Taucバンドギャップは堆積したままのものに対しては1.8eVと計算され,RTA処理後約2.8eVに増大した。p型伝導率がHall測定及びSeebeck係数測定により全てのRTA処理膜に対して確認された。得られた最高のHall移動度は265°Cでアニールした膜に対する0.78cm²V^-1s^-1であり,対応する正孔キャリア濃度は4.28×10¹⁷cm^-3であった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *RFスパッタリング ,  *酸化スズ ,  スパッタ蒸着 ,  RTA【熱処理】 ,  *赤外線加熱 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *Hall移動度 ,  *P型半導体 ,  透過率 ,  *光学定数 ,  *キャリア密度 ,  透明導電膜 ,  輸送係数 ,  熱起電力
準シソーラス用語： Seebeck係数

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： RFスパッタ ,  薄膜 ,  急速熱アニール