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J-GLOBAL ID：201502279836788633   整理番号：15A0602705

AlとGa同時スパッタリングZnO薄膜の特性に及ぼすスパッタリングパワーの影響

Impact of sputtering power on the properties of Al and Ga co-sputtered ZnO thin films

著者 (3件)： GUPTA Chandan Ashis (KIIT Univ., School of Applied Sciences, Campus-3, Patia, 751024, Bhubaneswar, Odisha, IND) ,  MANGAL Sutanu (KIIT Univ., School of Applied Sciences, Campus-3, Patia, 751024, Bhubaneswar, Odisha, IND) ,  SINGH Udai P. (KIIT Univ., School of Electronics Engineering, Campus-3, Patia, 751024, Bhubaneswar, Odisha, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 6  ページ： 4280-4284  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,スパッタリングパワー(100,200及び300W)を変化させたDCスパッタリングを用いて,三組のアルミニウム及びガリウムを同時スパッタリングした酸化亜鉛膜をソーダライムガラス基板上に成長させた。アルミニウムドープZnO(Al₂O₃ 2重量%)とガリウムドープZnO(Ga₂O₃ 2重量%)スパッタリングターゲットを用いた。AlドープZnOとGaドープZnOの厚み比(1:1)を全てのAlとGa同時スパッタリング(ZAG)薄膜で同一に維持した。光吸収データは,成長したままの膜における高い透過率を明らかにする。100W堆積ZAG膜は,可視スペクトル領域で約90%の最大値を達成した。XRDグラフから,(002)の優先成長と(102)及び(103)の他の弱いピークが示唆される。このことから,膜の多結晶性を確認する。(002)相に対応する強いピークが観察される。このことは,300W成長ZAG膜のより良好な結晶サイズを意味する。XRDの結果から,スパッタリングパワーを増加させると共に,結晶サイズが増加傾向を示すことが示唆される。Hall効果測定システムを用いて,ZAG膜の電気特性,即ち,キャリア濃度,抵抗率及び移動度を測定した。300Wのスパッタリングパワーで堆積したZAG膜において,5.46×10^-4Ωcmの最低抵抗値が得られた。スパッタリングパワーを増加して得られたデータから,抵抗値は,高い光透過率を持ちながら,10^-3から10^-4Ωcmまで減少することが明らかになった。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *薄膜 ,  *スパッタリング ,  アルミニウム ,  ガリウム ,  光透過 ,  X線回折 ,  FTIR分光法 ,  多結晶
準シソーラス用語： ZnO

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  Ga ,  同時スパッタリング ,  ZnO薄膜 ,  スパッタリング ,  パワー