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J-GLOBAL ID：201502279899970300   整理番号：15A0298491

バルクGaNに基づく縦型パワーp-nダイオード

Vertical Power p-n Diodes Based on Bulk GaN

著者 (5件)： KIZILYALLI Isik C. (Avogy Inc., CA, USA) ,  EDWARDS Andrew P. (Avogy Inc., CA, USA) ,  AKTAS Ozgur (Avogy Inc., CA, USA) ,  PRUNTY Thomas (Avogy Inc., CA, USA) ,  BOUR David (Avogy Inc., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 2  ページ： 414-422  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 縦型p-nダイオードを擬バルク低欠陥密度(10⁴~10⁶cm^-2)のGaN上に作った。同種基板上でn型シリコンドーピングをバックグラウンドのC不純物とバランスさせられるGaNのホモエピタキシャル低圧MOCVD成長で,ドリフト層厚が6~40μでネットキャリア電子濃度が4×10¹⁵~2.5×10¹⁶の縦型デバイス構造を実現した。このパラメータは適切なエッジ終端法を使ったブレークダウン電圧(BV)が600V~4kVの製品要求に合致している。デバイスを測定すると,2.6kVのBVで微分固有オン抵抗は2mΩcm²であり,3.2kVデバイスでは2.95mΩcm²であった。製作した構造を使って,I-V特性,衝突イオン化とアバランシェ特性,GaN c方向(縦方向)の電子移動度ヤホール少数キャリア寿命などのモデリングパラメータの温度依存性を調べた。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  キャリア移動度 ,  *PN接合 ,  *ダイオード ,  半導体素子 ,  化合物半導体 ,  *パワーエレクトロニクス ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  衝突イオン化 ,  少数キャリア ,  キャリア寿命
準シソーラス用語： GaN ,  ブレークダウン電圧 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  電子移動度 ,  電力半導体素子

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  GaN ,  縦型 ,  パワー ,  ダイオード