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J-GLOBAL ID：201502280095266080   整理番号：15A0417693

抵抗ランダムアクセスメモリのイオンマイグレーションバリアを制御した加速把持時間試験法

Accelerated Retention Test Method by Controlling Ion Migration Barrier of Resistive Random Access Memory

著者 (6件)： KOO Yunmo (Pohang Univ. Sci. and Technol., Pohang, KOR) ,  AMBROGIO Stefano (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  WOO Jiyong (Pohang Univ. Sci. and Technol., Pohang, KOR) ,  SONG Jeonghwan (Pohang Univ. Sci. and Technol., Pohang, KOR) ,  IELMINI Daniele (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  HWANG Hyunsang (Pohang Univ. Sci. and Technol., Pohang, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 3  ページ： 238-240  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)の低抵抗状態(LRS)の把持時間は,外部電場によるイオンマイグレーションと局所的なJoule熱によるによるバリア低下により大幅に低下するといわれる。本稿では,Arrhenius方程式を使ったモデルに基づき,定電圧ストレス(CVS)を与えることによるLRS把持時間評価法の改良法を提案した。この方法を使うことにより,測定温度と測定時間を比較的低い電圧で数桁低減できることを示した。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  *記憶把持 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  金属イオン ,  熱 ,  Arrheniusの式 ,  *加速試験
準シソーラス用語： Arrhenius方程式 ,  Joule熱 ,  *ReRAM ,  イオンマイグレーション ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  把持【記憶】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  加速 ,  把持 ,  試験法