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J-GLOBAL ID：201502280170637552   整理番号：15A0454634

Sc_xAl_1-xN(0001)薄膜のナノプローブ機械・圧電特性評価

Nanoprobe mechanical and piezoelectric characterization of Sc_xAl_1-xN(0001) thin films

著者 (5件)： ZUKAUSKAITE Agne (Dep. of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Thin Film Physics Div., Linkoeping Univ., 581 83, Linkoeping, SWE) ,  BROITMAN Esteban ,  SANDSTROEM Per ,  HULTMAN Lars ,  BIRCH Jens
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212  号： 3  ページ： 666-673  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その場電気キャラクタリゼイションによるナノインデンテーションを使って,Sc含有量が最高x=0.3の圧電性窒化スカンジウムアルミニウム(Sc_xAl_1-xN)薄膜を調べた。この膜は,底電極としてTiN種層が付いたAl₂O₃基板を使い,400°Cの基板温度で反応性マグネトロンスパッタリングにより調製した。X線回折により,c軸方位のウルツ鉱型Sc_xAl_1-xN)を示した。xが高くなると,結晶品質は低下する。マッピングモードの圧電応答顕微鏡法から,すべての試料で単一の圧電性分極相が明らかになった。硬度は各々AlNの17GPaからSc_0.3Al_0.7Nの11GPaまで低下し,一方,減少弾性率は265Gpaから224GPaへと低下した。直接と逆の圧電測定両方を,最初に荷重をかけ,電圧を発生させ,後で電圧をかけ,導電性のホウ素ドープダイヤモンドナノ圧子チップを使って膜変位を測定し,実証した。Sc_0.2Al_0.8N膜はAlNに比べて発生した電圧の上昇を見せ,対応してかけた電圧に対してより大きい変位が生じる。これは,二重梁干渉法と圧電応答力顕微鏡によって得られた結果に匹敵する。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スカンジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化物 ,  ナノインデンテーション ,  チタン化合物 ,  酸化アルミニウム ,  基板温度 ,  マグネトロンスパッタリング ,  X線回折分析 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  化合物半導体 ,  力顕微鏡 ,  *硬度 ,  *弾性係数 ,  マイクロプローブ ,  *圧電半導体 ,  *圧電気
準シソーラス用語： ナノ圧子 ,  圧電応答力顕微鏡 ,  窒化チタン ,  反応性マグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  ナノプローブ ,  圧電特性 ,  評価