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J-GLOBAL ID：201502280233405207   整理番号：15A0455357

国際宇宙ステーションでのSiGe結晶の育成

SiGe crystal growth aboard the international space station

著者 (6件)： KINOSHITA K. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  ARAI Y. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  TSUKADA T. (Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  INATOMI Y. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  MIYATA H. (Advanced Engineering Services Co. Ltd, 1-6-1, Takezono, Tsukuba, JPN) ,  TANAKA R. (Advanced Engineering Services Co. Ltd, 1-6-1, Takezono, Tsukuba, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 417  ページ： 31-36  発行年： 2015年05月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径10mm,長さ9.2mmのシリコンゲルマニウム混合結晶Si_1-xGe_x(x≒0.5)を,融液対流の抑制による微小重力下での飽和溶融帯移動法(TLZ)法によって育成した。Ge濃度は,育成結晶の全体で,49.8±2.5at%であった。以前の国際宇宙ステーションでの実験と比較して,軸方向の濃度変動は,±1.5at%から±2.5at%に増加したが,平均Ge濃度はほぼ50at%であった。半径方向のGe組成は,成長長7~9mmの範囲で52±0.5at%の優れた均一性であったが,軸方向の組成均一性も優れていた。単結晶領域は約5mmの長さであった。実験結果と数値解析の両方において,凸状から凹状への界面形状の変化が暗示された。濃度変動の増加と界面形状の変化の考えられる原因,並びに,結晶の二次元成長モデルとの関係を議論した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 宇宙ステーション ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  半導体 ,  *微小重力 ,  *融液成長 ,  化学組成 ,  *均一性 ,  数値解析 ,  形態 ,  ゆらぎ
準シソーラス用語： 国際宇宙ステーション ,  *TLZ法 ,  界面形状 ,  濃度変動

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 宇宙ステーション ,  SiGe ,  結晶