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J-GLOBAL ID：201502280716938940   整理番号：15A0458259

Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果

Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs

著者 (5件)： LEE ChoongHyun (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIMURA Tomonori (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  LU Cimang (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KABUYANAGI Shoichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TORIUMI Akira (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 421(SDM2014 135-146)  ページ： 5-8  発行年： 2015年01月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿ではGe基板中の酸素がMOSFET特性に与える影響について議論する。チャネル領域における酸素は,散乱源の低減の観点より特にGe n-MOSFETにおける電子移動度の改善において除去される方が好ましく,一方でソース・ドレイン領域における酸素は,接合リーク電流を抑制することから積極的な導入が有効であることが分かった。これらGe中における酸素の役割の理解に基づき,極めて良好なOn/Off比を有する高移動度Ge nMOSFETの動作を実証した。(著者抄録)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *MOSFET ,  接合 ,  *漏れ電流 ,  *キャリア移動度 ,  比率 ,  散乱体
準シソーラス用語： Ge基板 ,  *nMOSFET ,  オンオフ比 ,  ゲートリーク電流 ,  *リーク電流 ,  *電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• K. Morii et al., IEDM, 681 (2009).
• W. B. Chen et al., IEDM, 420 (2010).
• Y.-C. Fu et al., IEDM, 432 (2010).
• C.-M. Lin et al., IEDM, 509 (2012).
• S. Gupta et al., IEDM, 375 (2012).

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge基板 ,  酸素 ,  リーク電流 ,  電子移動度