GaAs(001)へのCo<sub>2</sub>TiSi薄膜の分子線エピタキシャル成長とその特徴:成長温度の影響

DAU M T; HERFORT J

文献

J-GLOBAL ID：201502281389130239 整理番号：15A0290921

GaAs(001)へのCo₂TiSi薄膜の分子線エピタキシャル成長とその特徴:成長温度の影響

Molecular beam epitaxy growth and properties of Co₂TiSi thin films on GaAs(0 0 1): the effect of growth temperature

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巻： 48 号： 2 ページ： 025003,1-6 発行年： 2015年01月21日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

我々はGaAs(001)上にMBEを用いてCo₂TiSiの強磁性薄膜が成長出来ることを示す。成長温度が出来上がったCo₂TiSi薄膜の特性に大きな影響を及ぼし,最適な成長温度は300-360°Cに有る。薄膜は単一相で,強く(001)配向している。薄膜の平均ゼーベック係数と抵抗値は室温に於いてバルクの値と同程度であり,この材料がスピンカロリクスとスピントロニクス応用への有望な候補であることを示している。

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半導体薄膜 , 金属結晶の電子伝導

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GaAs(001)へのCo2TiSi薄膜の分子線エピタキシャル成長とその特徴:成長温度の影響

GaAs(001)へのCo₂TiSi薄膜の分子線エピタキシャル成長とその特徴:成長温度の影響