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J-GLOBAL ID：201502281734493560   整理番号：15A0621322

急速溶融成長によるゲルマニウムオンインシュレータ構造におけるSi-Ge相互拡散の阻害

Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth

著者 (8件)： WEN J.J. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  LIU Z. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  ZHOU T.W. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  XUE C.L. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  ZUO Y.H. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  LI C.B. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  WANG Q.M. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  CHENG B.W. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 586  ページ： 54-57  発行年： 2015年07月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急速溶融成長を用いて,インシュレータ上の準純粋結晶ゲルマニウムストリップを作製した。ソーキング温度を下げると,シード領域におけるSiGe相互拡散が減少し,ゲルマニウム層蒸着の前に,シリコンシード窓上の固有酸化物を再成長させると,さらに相互拡散が阻害されることを見いだした。シリコンシード層とゲルマニウム層間の固有酸化物の厚さを制御することにより,シード領域におけるシリコンの割合を1%以下まで下げることができ,シリコンシードからのゲルマニウム膜の再結晶化は影響を受けなかった。Ramanとフォトルミネセンス分析の両方から,準純粋結晶ゲルマニウムストリップの良好な品質が明らかになった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *融液成長 ,  *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  相互拡散 ,  半導体 ,  半導体プロセス ,  下層 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 溶融成長 ,  *ケイ化ゲルマニウム ,  シリコンオンインシュレータ ,  シード層

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶融成長 ,  Si ,  Ge ,  相互拡散 ,  阻害