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J-GLOBAL ID：201502281769403629   整理番号：15A0648051

シリコン上のナノ結晶ダイヤモンド薄膜の光電子放出特性

Photoemission properties of nanocrystalline diamond thin films on silicon

著者 (7件)： MAZELLIER Jean-paul (Nanocarb Lab., Thales Res. & Technol., Campus Polytechnique, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, FRA) ,  DI GIOLA Cyril (Nanocarb Lab., Thales Res. & Technol., Campus Polytechnique, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, FRA) ,  LEGAGNEUX Pierre (Nanocarb Lab., Thales Res. & Technol., Campus Polytechnique, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, FRA) ,  HEBERT Clement (CEA-LIST, Diamond Sensors Lab., Gif-sur-Yvette 91191, FRA) ,  SCORSONE Emmanuel (CEA-LIST, Diamond Sensors Lab., Gif-sur-Yvette 91191, FRA) ,  BERGONZO Philippe (CEA-LIST, Diamond Sensors Lab., Gif-sur-Yvette 91191, FRA) ,  SAADA Samuel (CEA-LIST, Diamond Sensors Lab., Gif-sur-Yvette 91191, FRA)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 3  ページ： 03C105-03C105-9  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,シリコン基板上へ化学蒸着により得たナノ結晶ダイヤモンド薄膜の紫外(266nm光子)光電子放出特性を測定する専用の超高真空装置を構築した。著者らは,多結晶銅の量子効率を~10^-6と測定して,これが文献と良く一致することから,それらの装置を確かめた。裸のシリコン(高度にp型ドープとn型ドープの)の量子効率も測定し,ドーピング型の強い影響を実証した。次に著者らは,サブミクロン(50,100nm厚)ナノ結晶ダイヤモンド層で被覆したシリコン試料の量子効率を測定した。高濃度n型ドープしたシリコン試料に蒸着した場合にのみ,被覆は光電子放出特性に主要な効果があることを明らかにした。著者らは1.60 × 10^-5と高い量子収率を得た。空気中で高い安定性と処理が容易なことに伴うそのような構造の比較的高い量子効率によって,これが走査/透過型電子顕微鏡,あるいはX線源などの電子銃に基づくシステムに対する高速電子源として良好な候補になる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 薄膜 ,  *光電子放出 ,  ウエハ【IC】 ,  化学蒸着 ,  量子効率 ,  ドーピング ,  被覆層 ,  電子源 ,  薄膜成長 ,  紫外線照射
準シソーラス用語： N型ドーピング ,  p型ドーピング ,  シリコン基板 ,  *ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  layer-by-layer成長

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  ナノ結晶 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  光電子放出