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J-GLOBAL ID：201502281779670900   整理番号：15A0626284

マイクロエレクトロニクスデバイス用のパッケージレベルマイクロジェットによるホットスポット冷却

Package-Level Microjet-Based Hotspot Cooling Solution for Microelectronic Devices

著者 (3件)： HAN Yong (Inst. Microelectronics, Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  LAU Boon Long (Inst. Microelectronics, Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  ZHANG Xiaowu (Inst. Microelectronics, Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 5  ページ： 502-504  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロエレクトロニクスデバイスの設計において,ホットスポットにおける高熱流束の除去は大きな課題である。本稿では,Siハイブリッドヒートシンクとダイヤモンドヒートスプレッダーを使ったパッケージレベルマイクロジェットによるホットスポット冷却について報告した。450×300μm²サイズの8個のホットスポットヒーターを持つ試験チップを使って実験を行った。このヒートシンクはマイクロチャネル流とマイクロジェットアレイ衝突により,0.17Wのポンプ電力で18.9×10⁴W/m²Kの平均熱伝達が可能であった。ゲートモデルとヒーターモデルを使って開発した冷却システムを使ったGaNトランジスタの熱性能を予測した。10kW/cm²の冷却能力が予測され,検証した。このGaNデバイスで3.9W/mmの加熱密度を,ピーク温度200°Cに維持しながら冷却できることを示した。

シソーラス用語： マイクロエレクトロニクス ,  *ホットスポット ,  *噴流 ,  熱流束 ,  ヒートシンク ,  金属板 ,  チャネル流 ,  マイクロチャネル ,  熱伝達 ,  窒化ガリウム ,  性能 ,  能力 ,  *冷却
準シソーラス用語： GaN ,  ヒートスプレッダ ,  *マイクロジェット ,  マイクロチャネル流 ,  冷却能力

分類 (1件)： 熱交換器,冷却器  (PA03020G)

タイトルに関連する用語 (2件)： マイクロエレクトロニクスデバイス ,  ホットスポット