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J-GLOBAL ID：201502282408053980   整理番号：15A0599861

Si(001)上でのホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の成因

Origin of RHEED intensity oscillation during homoepitaxial growth on Si(001)

著者 (2件)： KAWAMURA T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  MAKSYM P. A. (Univ. Leicester, Leicester, GBR)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 630  ページ： 125-135  発行年： 2014年12月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ホモエピタクシー ,  *ケイ素 ,  単結晶 ,  *表面 ,  *表面構造 ,  *RHEED ,  波動関数 ,  *MBE成長 ,  表面反応 ,  *相互作用
準シソーラス用語： *電子-固体相互作用

分類 (3件)： 界面化学一般  (CB12010J) ,  電子回折法  (BK01030T) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  RHEED ,  成因