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J-GLOBAL ID：201502282524783449   整理番号：15A0518620

原子層蒸着超薄(2nm)酸化アルミニウムクロスバー抵抗ランダムアクセスメモリにおける抵抗スイッチングと閾値スイッチングの発生

Occurrence of Resistive Switching and Threshold Switching in Atomic Layer Deposited Ultrathin (2nm) Aluminium Oxide Crossbar Resistive Random Access Memory

著者 (8件)： BANERJEE Writam (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  XU Xiaoxin (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Hongtao (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LV Hangbing (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Qi (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  SUN Haitao (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LONG Shibing (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Ming (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 4  ページ： 333-335  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RRAM技術を高密度クロスバーアレイ集積に使うためには,セレクタデバイスが最も重要な要素の一つである。本稿では,TiN/AlO_x/IrO_xクロスバーアーキテクチャを持つ超薄原子層蒸着(ALD)2nm AlO_xに基づくRRAMについて報告した。このデバイスには抵抗スイッチング(RS)と閾値スイッチング(TS)が共存し,電流レベルにより非線形性(I@V_read/I@1/2V_read)>10²でTSモードからRSモードにスイッチする。10nAで安定な>10³のTSサイクルを達成した。

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *単原子層 ,  超薄膜 ,  *酸化アルミニウム ,  *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  スイッチング ,  緻密化 ,  密度
準シソーラス用語： *RRAM ,  *原子層蒸着 ,  高密度化 ,  抵抗スイッチング ,  *抵抗ランダムアクセスメモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  クロスバー ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  抵抗スイッチング ,  閾値 ,  スイッチング