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J-GLOBAL ID：201502282713786041   整理番号：15A0718338

速い回復速度を持つフレキシブル基板上の超高利得単一SnO₂マイクロロッド光伝導体

Ultrahigh-Gain Single SnO₂ Microrod Photoconductor on Flexible Substrate with Fast Recovery Speed

著者 (4件)： LIU Kewei (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics Fine Mechanics and Physics (CIOMP) ...) ,  SAKURAI Makoto (International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba ...) ,  AONO Masakazu (International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba ...) ,  SHEN Dezhen (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics Fine Mechanics and Physics (CIOMP) ...)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 25  号： 21  ページ： 3157-3163  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特別な特性と広い応用のために,ワイドバンドギャップ半導体をベースとしたUV光伝導体がこの20年間興味の拡大をもたらしてきた。しかしながら,高い内部利得は光励起されたキャリアの長い寿命により達成され,そして速い回復はそれらの速い減衰を必要とするため,実用的UV光伝導体は高い内部利得と速い回復速度の2つの相矛盾する性能を必要とする。ワイドバンドギャップ半導体における遅い減衰は永続的光伝導度(PPC)問題として知られており,応用を妨げている。本論文では,上記の矛盾する問題に対する優れた解を単一SnO₂マイクロロッド光伝導体に対して実証し,それは高い光伝導利得(約1.5×10⁹)と速い回復速度(<1s)を示した。特に,速い回復速度は永続的光伝導度効果(>1d)の除去と関係しており,それは新たなリセットプロセス,マイクロロッドの曲げと伸ばしそしてその後の電圧パルスの印加により誘起される。この結果は,SnO₂マイクロロッドが高性能UV光検出デバイスにおける応用の可能性を有することを示している。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 光伝導 ,  *光伝導素子 ,  *酸化スズ ,  微細構造 ,  化学蒸着 ,  光電流 ,  利得 ,  回復 ,  *光検出器 ,  紫外線 ,  応答時間
準シソーラス用語： マイクロロッド

分類 (3件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 回復 ,  フレキシブル基板 ,  高利得 ,  SnO2 ,  マイクロロッド ,  光伝導体