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J-GLOBAL ID：201502282859499192   整理番号：15A0498074

けい素上エルビウムドープCeO₂膜を用いる金属-酸化物-半導体素子からのエレクトロルミネセンス

Electroluminescence from metal-oxide-semiconductor devices with erbium-doped CeO₂ films on silicon

著者 (6件)： LV Chunyan (State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  ZHU Chen (State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  WANG Canxing (State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  GAO Yuhan (State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  MA Xiangyang (State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  YANG Deren (State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 14  ページ： 141102-141102-5  発行年： 2015年04月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *エレクトロルミネセンス ,  *酸化セリウム ,  *ドーピング ,  エルビウム ,  基板 ,  ケイ素 ,  *MOSFET ,  可視光 ,  近赤外線 ,  電流電圧特性 ,  *トンネル効果 ,  キャリア捕獲 ,  *ホットエレクトロン ,  エミッタ【半導体】 ,  酸化インジウムスズ

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： けい素 ,  エルビウム ,  ドープ ,  CeO2 ,  酸化物 ,  半導体素子 ,  エレクトロルミネセンス