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J-GLOBAL ID：201502283198737535   整理番号：15A0304317

アモルファス薄膜トランジスタの寄生抵抗を別々に抽出するための二重スイープ組合せ相互コンダクタンス法

Dual-Sweep Combinational Transconductance Technique for Separate Extraction of Parasitic Resistances in Amorphous Thin-Film Transistors

著者 (7件)： JUN Sungwoo (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  BAE Hagyoul (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Hyeongjung (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jungmin (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Sung-Jin (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Dae Hwan (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Dong Myong (Kookmin Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 2  ページ： 144-146  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファスIGZO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFTs)は,次世代アクティブマトリクス液晶ディスプレイ用のデバイスとして期待されている。各種のa-IGZO TFTs系アプリケーションのためには,正確なモデリングと寄生ソース抵抗(R_S)とドレイン抵抗(R_D)の分離した抽出が不可欠である。本稿では,二重スイープ組合せ相互コンダクタンス法を使って順方向と逆方向の伝送特性を組合せ,R_SとR_Dを別々に測定する方法について報告した。この方法をa-IGZO TFTsに適用して,各種チャネル長とチャネル幅に対してR_SとR_Dを別々に測定できた。

シソーラス用語： アモルファスシリコン ,  *薄膜トランジスタ ,  *電気抵抗 ,  *相互コンダクタンス ,  液晶ディスプレイ ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  長さ ,  チャネル ,  幅
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  アクティブマトリクス液晶ディスプレイ ,  アモルファスSi ,  チャネル長 ,  チャネル幅 ,  *寄生抵抗

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： アモルファス ,  薄膜トランジスタ ,  寄生抵抗 ,  スイープ ,  組合せ ,  相互コンダクタンス