MORIYA Rai について
Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN について
YAMAGUCHI Takehiro について
Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN について
INOUE Yoshihisa について
Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN について
SATA Yohta について
Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN について
MORIKAWA Sei について
Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN について
MASUBUCHI Satoru について
Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN について
MACHIDA Tomoki について
Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN について
Applied Physics Letters について
グラフェン について
硫化モリブデン について
FET【トランジスタ】 について
状態密度 について
電流電圧特性 について
Fermi準位 について
キャリア密度 について
電場効果 について
電圧 について
バンド構造 について
静電容量 について
Dirac点 について
ゲート電圧 について
バイアス電圧 について
電子状態密度 について
トランジスタ について
グラフェン について
MoS2 について
垂直 について
電界効果トランジスタ について
輸送特性 について
状態密度 について