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J-GLOBAL ID：201502284406771609   整理番号：15A0549256

光励起電荷収集分光法によるトップゲートMoS₂ナノシート電界効果トランジスタ上のトラップ密度のプロービング

Trap density probing on top-gate MoS₂ nanosheet field-effect transistors by photo-excited charge collection spectroscopy

著者 (11件)： CHOI Kyunghee (Inst. of Physics and Applied Physics, Yonsei Univ., 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Korea. ...) ,  RAZA Syed Raza Ali ,  LEE Hee Sung ,  JEON Pyo Jin ,  PEZESHKI Atiye ,  MIN Sung-Wook ,  KIM Jin Sung ,  YOON Woojin ,  JU Sang-Yong ,  LEE Kimoon ,  IM Seongil
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 13  ページ： 5617-5623  発行年： 2015年04月07日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元二硫化モリブデン(MoS₂)電界効果トランジスタ(FET)は広範囲に研究されているが,ゲート絶縁体があるFETの大部分が負の閾値電圧値を示し,これはエネルギー準位が浅い,そして深い界面トラップが存在することを示す。このような界面トラップの問題にも関わらず,MoS₂中のトラップ密度に関する報告は極めて限定している。ここでは,2,3,及び4層MoS₂/誘電体界面があるトップゲートMoS₂ FETをプローブして,光励起電荷収集分光法(PECCS)により,深い準位界面トラップ密度を定量化し,10¹²cm^-2を越える深い準位トラップが界面と界面近くのバルクMoS₂に存在する結果を報告した。トランスファー曲線ヒステリシスとPECCSの測定結果は,浅いトラップと深いトラップは互いに密度の差はないことを示す。著者らのPECCS分析は2次元FETにおける深い準位界面/バルクトラップ密度に関する貴重な情報が曖昧性なく得られると結論した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 素子構造 ,  *硫化モリブデン ,  特性 ,  FET【トランジスタ】 ,  *捕獲中心 ,  浅い準位 ,  深い準位 ,  スペクトロスコピー ,  電流電圧特性 ,  電圧
準シソーラス用語： トップゲート構造 ,  伝達特性 ,  *ナノシートFET ,  *光励起電荷収集分光法 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光励起 ,  電荷収集 ,  分光法 ,  トップゲート ,  MoS2 ,  ナノシート ,  電界効果トランジスタ ,  トラップ密度