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J-GLOBAL ID：201502284557314269   整理番号：15A0389082

GaAs-InGaAs-AlGaAs 2DEGを用いた高感度ナノテスラ量子井戸Hall効果集積回路

Highly Sensitive Nanotesla Quantum-Well Hall-Effect Integrated Circuit Using GaAs-InGaAs-AlGaAs 2DEG

著者 (4件)： SADEGHI Mohammadreza (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  SEXTON James (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  LIANG Chen-Wei (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  MISSOUS Mohamed (Univ. Manchester, Manchester, GBR)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 15  号： 3  ページ： 1817-1824  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs-InGaAs-AlGaAs二次元電子ガス(EG)技術を用いたナノテスラ量子井戸超高感度で低電力(10.4mW)の線形Hall効果集積回路(LHEIC)を開発した。GaAsバッファ層,AlGaAsスペーサクラッド化InGaAsから成るシュードモルフィックHEMT構造を用いた。このLHEICの感度は533μV/μTであり,500Hz~200kHzの周波数範囲内で177nT(10Hzの帯域幅)の磁場を測定できた。感度を従来のHall素子の10倍超にできた。

シソーラス用語： *量子井戸 ,  高感度 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  HEMT ,  素子構造 ,  電子ガス ,  二次元 ,  *Hall効果 ,  半導体集積回路 ,  磁場測定 ,  *磁力計 ,  線形性 ,  電流電圧特性 ,  検出限界 ,  消費電力
準シソーラス用語： シュードモルフィックHEMT ,  低電力

分類 (1件)： 磁気の計測法・機器  (AD07060U)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  InGaAs ,  AlGaAs ,  2DEG ,  高感度 ,  量子井戸 ,  Hall効果 ,  集積回路