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J-GLOBAL ID：201502284561639601   整理番号：15A0532927

n型アルミニウム-ガリウム-酸化物薄膜とp型ナトリウムドープCu₂Oシートに基づく6%効率のヘテロ接合太陽電池

Heterojunction solar cell with 6% efficiency based on an n-type aluminum-gallium-oxide thin film and p-type sodium-doped Cu₂O sheet

著者 (3件)： MINAMI Tadatsugu (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  NISHI Yuki (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  MIYATA Toshihiro (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 2  ページ： 022301.1-022301.4  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,n型層としてアルミニウム-ガリウム-酸化物(Al-Ga-O)薄膜と,熱酸化銅シートにより調製したp型ナトリウム(Na)ドープCu₂O(Cu₂O:Na)シートにより作製したCu₂O系ヘテロ接合太陽電池の効率を増強する努力について記述した。Al_x-Ga_1-x-O薄膜n型層の最適なAl含有量[X;Al/(Ga+Al)原子比]は約2.5at.%であることが分った。最適な抵抗率はn型Al_x-Ga_1-x-O/p型Cu₂O:Naヘテロ接合太陽電池で約15Ωcmであった。効率が6.1%のMgF₂/AZO/Al_0.035-Ga_0.975-O/Cu₂O:Naヘテロ接合太陽電池を,60nm厚のn型酸化物薄膜層と,抵抗率が最適な0.2mm厚のCu₂O:Naシートを使って作製した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *酸化第一銅 ,  酸化物 ,  *アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  エネルギー変換効率 ,  化合物半導体 ,  ナトリウム ,  電気抵抗率 ,  酸化亜鉛 ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  酸化物半導体 ,  n型ドーピング
準シソーラス用語： N型ドーピング ,  AZO

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (23件)：

• L. C. Olsen, R. C. Bohara, and M. W. Urie, Appl. Phys. Lett. 34, 47 (1979).
• W. M. Sears, E. Fortin, and J. B. Webb, Thin Solid Films 103, 303 (1983).
• R. J. Iwanowski and D. Trivich, Phys. Status Solidi A 95, 735 (1986).
• B. P. Rai, Sol. Cells 25, 265 (1988).
• R. N. Briskman, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 27, 361 (1992).

タイトルに関連する用語 (7件)： アルミニウム ,  ガリウム ,  酸化物薄膜 ,  ナトリウム ,  ドープ ,  Cu2O ,  ヘテロ接合太陽電池