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J-GLOBAL ID：201502285763791851   整理番号：15A0512599

ナノ結晶IV族合金半導体:調整可能なバンドギャップ用のGe_1-xSn_x量子ドットの合成とキャラクタリゼーション

Nanocrystalline Group IV Alloy Semiconductors: Synthesis and Characterization of Ge_1-xSn_x Quantum Dots for Tunable Bandgaps

著者 (3件)： ESTEVES Richard J Alan (Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA) ,  HO Minh Q. (Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA) ,  ARACHCHIGE Indika U. (Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 27  号： 5  ページ： 1559-1568  発行年： 2015年03月10日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サイズが15-23nmと3.4-4.6nmの範囲にあり,Sn濃度がx=0-0.279のGe_1-xSn_xナノ合金を合成した。不必要なSn不純物が消去される原因も調べた。格子定数の組成依存性をX線回折とRaman分光法により調べ,Sn濃度を高くしていくと,立方晶Ge格子が非線形に膨張することを示した。量子サイズ効果によって,バンドギャップがバルクGeから大きい青方偏移が生じ,x=0-0.115のとき,小さいGe_1-xSn_xナノ合金(3.4-4.6nm)で間接バンドギャップが1.31eVから0.75eVへ,直接バンドギャップが1.47eVから0.95eVへシフトした。合成したままのGe_1-xSn_xナノ合金は高い熱安定性を見せ,最高400-500°Cまで焼結に対して中程度の耐性を見せた。

シソーラス用語： *ゲルマニウム合金 ,  スズ含有合金 ,  ナノ粒子 ,  格子定数 ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  *バンドギャップ ,  X線光電子スペクトル ,  高分解能電子顕微鏡 ,  拡散反射 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： *ナノ合金 ,  間接バンドギャップ ,  散漫反射 ,  直接バンドギャップ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ結晶 ,  合金半導体 ,  バンドギャップ ,  量子ドット ,  キャラクタリゼーション