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J-GLOBAL ID：201502285971807125   整理番号：15A0532911

有機金属化学蒸着により成長させたほぼ格子整合したInAlN/AlGaN二次元電子ガスヘテロ構造

Nearly lattice-matched InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (3件)： MIYOSHI Makoto (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  FUJITA Shu (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA Takashi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 2  ページ： 021001.1-021001.4  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1nm厚のAlN界面層があるほぼ格子整合したInAlN/Al_xGa_1-xN(x=0.1,0.21,0.34)ヘテロ構造を,AlN/サファイアテンプレート上へ有機金属化学蒸着により成長させた。容量-電圧及びHall効果測定により,2×10¹³/cm²を越える高密度の二次元電子ガス(2DEG)がすべての試料のヘテロ界面に発生したことが明らかになった。高密度2DEGの発生は内部平坦化効果が原因となると説明できることを確かめた。AlGaNチャネル中のAl含有量が増えると共に,2DEGの密度と移動度が低下するため,シート抵抗は1,267Ω/sqから1,919Ω/sqへと上昇した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *格子整合 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  素子構造 ,  容量電圧特性 ,  Hall効果 ,  *二次元電子ガス ,  電子密度 ,  キャリア移動度 ,  X線回折 ,  シート抵抗 ,  改変
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *窒化インジウムアルミニウム ,  電子移動度 ,  平坦化

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (34件)：

• J. W. Chung, W. E. Hoke, E. M. Chumbes, and T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 31, 195 (2010).
• T. Kikkawa, M. Kanamura, T. Ohki, K. Imanishi, K. Watanabe, and K. Joshin, ECS Trans. 50 [3], 323 (2013).
• T. Egawa, IEDM Tech. Dig., 2012, 27.1.1.
• C. M. Jeon, J. H. Lee, J. H. Lee, and J. L. Lee, IEEE Electron Device Lett. 25, 120 (2004).
• J. Liu, Y. Zhou, R. Chu, Y. Cai, K. J. Chen, and K. M. Lau, IEDM Tech. Dig., 2004, p. 811.

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  格子整合 ,  InAlN ,  AlGaN ,  二次元電子ガス ,  ヘテロ構造