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J-GLOBAL ID：201502286179847272   整理番号：15A0431376

高性能な有機電界効果トランジスタのためのユニークな溶液処理可能なn型半導体材料設計

A Unique Solution-Processable n-Type Semiconductor Material Design for High-Performance Organic Field-Effect Transistors

著者 (11件)： MAMADA Masashi (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  SHIMA Hidetaka (Ube Ind., Ltd., Yamaguchi, JPN) ,  YONEDA Yasuhiro (Ube Ind., Ltd., Yamaguchi, JPN) ,  SHIMANO Tetsuro (Ube Ind., Ltd., Yamaguchi, JPN) ,  YAMADA Natsuko (Ube Ind., Ltd., Chiba, JPN) ,  KAKITA Kazuaki (Ube Ind., Ltd., Chiba, JPN) ,  MACHIDA Toshikazu (Ube Ind., Ltd., Chiba, JPN) ,  TANAKA Yasuhiro (Ube Ind., Ltd., Chiba, JPN) ,  AOTSUKA Sei (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  KUMAKI Daisuke (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  TOKITO Shizuo (Yamagata Univ., Yamagata, JPN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 27  号： 1  ページ： 141-147  発行年： 2015年01月13日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶解性n型有機半導体(OSC)材料の斬新な分子設計法を開発し,実証した。超原子価硫黄原子キノイド構造を基礎にして高い電子親和力をもつ,コア構造としてベンゾ[1,2-c:4,5-c′]ビス([1,2,5]チアジアゾール)(BBT)に研究目標を絞り,6種類のBBT誘導体を合成し,そして特性評価した。本報告はパラ,メタ,およびオルト置換基の詳細な比較と,これにともなうトリフルオロメチルとトリフルオロメトキシ基の比較について述べ,パラ置換基に関するメタ置換基についてさらに顕著に類似する有機薄膜トランジスタ(OTFT)性能が得られることを明らかにした。メタ置換基を用いたOTFTをつくるときの溶解度の許容レベルがさらに顕著に改善する。アルキルおよびペルフルオロアルキル基などの他の置換基への拡張性が,溶解度が低いp-およびn-型半導体の場合にも成立する。可溶性半導体分子設計の汎用的な知見が得られた。

シソーラス用語： 有機半導体 ,  半導体材料 ,  分子設計 ,  *FET【トランジスタ】 ,  溶液重合 ,  *溶液成長 ,  キャラクタリゼーション ,  *置換基効果 ,  薄膜成長 ,  *半導体薄膜 ,  溶解度 ,  可溶性 ,  *電気伝導 ,  薄膜トランジスタ ,  電流電圧特性 ,  メトキシ基 ,  溶解性
準シソーラス用語： メトキシル基 ,  超原子価化合物 ,  溶液処理

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機電界効果トランジスタ ,  溶液処理 ,  N型半導体 ,  材料設計