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J-GLOBAL ID:201502286246129126   整理番号:15A0534652

BiS2に基づくCe1-xNdxO1-yFyBiS2の超伝導への化学圧効果

Chemical Pressure Effect on Superconductivity of BiS2-Based Ce1-xNdxO1-yFyBiS2 and Nd1-zSmzO1-yFyBiS2
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資料名:
巻: 84  号:ページ: 044712.1-044712.6  発行年: 2015年04月15日 
JST資料番号: G0509A  ISSN: 0031-9015  CODEN: JUPSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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REO1-yFyBiS2シリーズにおける超電導の発生と結晶構造の関係を研究するため,3つ異なるF濃度(y = 0.7,0.5および0.3)でREO1-yFyBiS2(Ce1-xNdxO1-yFyBiS2とNd1-zSmzO1-yFyBiS2)の結晶構造と物性を研究した。ブロッキング層のREサイトは,いろいろなRE3+イオンによって,完全に,または,部分的に置換でき,それは組織的に格子容積を調整できるのでREO1-yFyBiS2は,物性に対する化学圧効果を議論するのに適している。化学圧力増やすことで(格子容積を減少させることで)a軸の格子定数は,組織的に減少し,一方,c軸の格子定数が注目に値する変化を示さない,REサイト置換がa軸の格子定数に基本的に影響を及ぼすことを示唆した。他方,c軸の格子定数は,F濃度によって調整できる。磁気磁化率測定に基づいて,RE濃度(化学圧力)の関数としてy = 0.7,0.5および0.3で3種類の超電導相ダイヤグラムを得た。y = 0.7,0.5および0.3のすべてのシステムで化学圧力は,基本的に超伝導転移温度(Tc)を化学圧力を増やすことで増加させる。これらの3つの相ダイヤグラムを比較して,少なくとも2つの重要な構造パラメータがあると提案した。(1) a軸に沿った格子収縮,(2) 最適格子収縮比率(c/a)はREO1-yFyBiS2で超電導の発生とTcの増加にとって不可欠である。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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超伝導体の物性一般 
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