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J-GLOBAL ID：201502286523962817   整理番号：15A0564740

高温におけるシリコン微細構造の塑性およびクリープ特性

The plastic and creep characteristics of silicon microstructure at elevated temperature

著者 (5件)： YAO Shaokang (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., CAS, State Key Lab. of Transducer Technol., Sci. and ...) ,  YAO Shaokang (Graduate Univ. of Chinese Acad. of Sciences, CAS, Beijing, CHN) ,  XU Dehui (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., CAS, State Key Lab. of Transducer Technol., Sci. and ...) ,  XIONG Bin (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., CAS, State Key Lab. of Transducer Technol., Sci. and ...) ,  WANG Yuelin (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., CAS, State Key Lab. of Transducer Technol., Sci. and ...)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 21  号： 5  ページ： 1111-1119  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基本プロセスとして,高温アニーリングがシリコンMEMSデバイス製作で広く使用されている。本稿では,高温製作プロセス中に起こる単結晶シリコン(SCS)微細構造の塑性およびクリープ特性を調べた。本研究では,中心隆起と真空キャビティを持つ四角形ダイヤフラムで構成されるMEMS設計で広く使われる微細構造を採用した。高温プロセス中,真空キャビティ外部の気圧のため,SCSの最大Von Mises応力がSCSの降伏応力を超過し,SCS微細構造の塑性変形が起こる。SCS微細構造設計において塑性変形を予測するため,測定結果から塑性変形の経験式を導いた。塑性変形はダイヤフラム厚みの立方に逆比例し,降伏点で連続ではない。微細構造のクリープもアニーリング時間の関数として変形を測定して調べた。明確なクリープは1100°Cで見られた。不均一な応力分布のため,SCS微細構造のクリープ曲線は引張試験によるSCSのものとは異なることが分かった。SCS微細構造に対して,クリープ率は主クリープではアニーリング時間と共に減少したが,二次クリープではほぼゼロとなった。Copyright 2014 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *微細構造 ,  単結晶 ,  特性 ,  *クリープ ,  空洞 ,  ダイヤフラム ,  MEMS ,  相当応力 ,  降伏応力 ,  塑性変形 ,  特性曲線
準シソーラス用語： Von Mises応力 ,  キャビティ ,  クリープ曲線 ,  *クリープ特性 ,  シリコン ,  *単結晶シリコン

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の材料  (HC06050G)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  微細構造 ,  塑性 ,  クリープ特性