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J-GLOBAL ID：201502286808240874   整理番号：15A0127401

SiC上に成長させた単分子層と二分子層グラフェンの腐食液のない損傷のない転写

Etchant-free and damageless transfer of monolayer and bilayer graphene grown on SiC

著者 (3件)： TANABE Shinichi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  FURUKAWA Kazuaki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIBINO Hiroki (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 11  ページ： 115101.1-115101.4  発行年： 2014年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC上に成長させた単分子層と二分子層グラフェンは,転写の間,グラフェンを取り扱うために支持層として金属の代わりに,水溶性ポリマーを使うことにより化学腐食液なしで転写できる。このように,化学腐食液による可能な意図しないドーピングを避けられる。Raman分光法の結果は,転写した単分子層と二分子層グラフェンで重要な損傷はない。転写した単分子層グラフェンの移動度は,室温で,2200cm² V^ー2 sV^ー2を上回り,これは転写前の移動度に相当する。これらの結果は,腐食液のない方法が単分子層と二分子層グラフェンの損傷のない転写を成し遂げたことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *単分子層 ,  炭素材 ,  エッチング液 ,  水溶性高分子 ,  *転写 ,  Raman分光分析 ,  移動度
準シソーラス用語： 二層グラフェン ,  腐食液

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (27件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005).
• Y. Zhang, Y.-W. Tan, H. L. Stormer, and P. Kim, Nature 438, 201 (2005).
• S. Das Sarma, S. Adam, E. H. Hwang, and E. Rossi, Rev. Mod. Phys. 83, 407 (2011).
• F. Bonaccorso, Z. Sun, T. Basan, and A. C. Ferrari, Nat. Photonics 4, 611 (2010).
• X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff, Science 324, 1312 (2009).

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  成長 ,  単分子層 ,  二分子層 ,  グラフェン ,  腐食液 ,  損傷 ,  転写