文献

J-GLOBAL ID：201502287032227313   整理番号：15A0305303

迅速X線ナノ回折顕微鏡法によるSiN/Ge相補型金属酸化膜半導体コンパチブル発光微細構造における歪と格子方位分布

Strain and lattice orientation distribution in SiN/Ge complementary metal-oxide-semiconductor compatible light emitting microstructures by quick x-ray nano-diffraction microscopy

著者 (9件)： CHAHINE G. A. (European Synchrotron ESRF, Grenoble 38043, FRA) ,  ZOELLNER M. H. (IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU) ,  RICHARD M.-i. (European Synchrotron ESRF, Grenoble 38043, FRA) ,  GUHA S. (IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU) ,  REICH C. (IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU) ,  ZAUMSEIL P. (IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU) ,  CAPELLINI G. (IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU) ,  SCHROEDER T. (IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU) ,  SCHUELLI T. U. (European Synchrotron ESRF, Grenoble 38043, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 7  ページ： 071902-071902-4  発行年： 2015年02月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *格子歪 ,  *結晶方位 ,  結晶格子 ,  歪分布 ,  空間分布 ,  傾斜 ,  *BiCMOS ,  ゲルマニウム ,  窒化ケイ素 ,  微細構造 ,  発光 ,  緩和現象 ,  半導体 ,  X線トポグラフィー ,  X線回折 ,  モデリング ,  有限要素法 ,  CMOS
準シソーラス用語： X線回折顕微鏡法 ,  マイクロX線回折 ,  マイクロストリップ ,  高分解能X線回折 ,  相補型金属酸化膜半導体 ,  面外歪 ,  有限要素モデリング ,  歪緩和

分類 (1件)： 非金属元素とその化合物の結晶構造  (BK07010N)

タイトルに関連する用語 (10件)： X線 ,  回折 ,  顕微鏡法 ,  SiN ,  Ge ,  相補型金属酸化膜半導体 ,  微細構造 ,  格子 ,  方位 ,  分布