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J-GLOBAL ID：201502287839571247   整理番号：15A0675221

プラズマ増強化学蒸着中のシラン監視により導いた実際のシリコン堆積ルール

Practical silicon deposition rules derived from silane monitoring during plasma-enhanced chemical vapor deposition

著者 (6件)： BARTLOME Richard (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film ...) ,  DE WOLF Stefaan (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film ...) ,  DEMAUREX Benedicte (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film ...) ,  BALLIF Christophe (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film ...) ,  AMANATIDES Eleftherios (Univ. of Patras, Dep. of Chemical Engineering, Plasma Technol. Lab., P.O. Box 1407, 26504 Patras, GRC) ,  MATARAS Dimitrios (Univ. of Patras, Dep. of Chemical Engineering, Plasma Technol. Lab., P.O. Box 1407, 26504 Patras, GRC)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 117  号： 20  ページ： 203303-203303-11  発行年： 2015年05月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *シラン ,  監視 ,  *半導体薄膜 ,  エネルギー効率 ,  ジシラン ,  欠乏 ,  滞留時間 ,  量子カスケードレーザ ,  光起電素子 ,  形状測定 ,  顕微Raman分光法 ,  粉体 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： シリコン薄膜 ,  表面形状測定

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： トリメチルほう素

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ増強化学蒸着 ,  シラン ,  シリコン ,  堆積 ,  ルール