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J-GLOBAL ID：201502287918890080   整理番号：15A0446968

CVD成長単層MoS₂の個々のドメインにおける欠陥媒介輸送及び電子照射効果

Defect-mediated transport and electronic irradiation effect in individual domains of CVD-grown monolayer MoS₂

著者 (6件)： DURAND Corentin (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, Tennessee 37831) ,  ZHANG Xiaoguang (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, Tennessee 37831) ,  FOWLKES Jason (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, Tennessee 37831) ,  NAJMAEI Sina (Dep. of Materials Sci. and NanoEngineering, Rice Univ., Houston, Texas 77251) ,  LOU Jun (Dep. of Materials Sci. and NanoEngineering, Rice Univ., Houston, Texas 77251) ,  LI An-ping (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, Tennessee 37831)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 2  ページ： 02B110-02B110-7  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四探針走査型トンネル顕微鏡により,MoS₂の原子的に薄い個々の結晶粒の電気輸送特性を研究した。単層MoS₂ドメインを,SiO₂/Si基板上に化学蒸着により合成した。コンダクタンス及び移動度に関する温度依存測定は,輸送が,非常に低いキャリア密度及び移動度の電子電荷トラッピング及び熱放出過程により支配されていることを示した。電子照射の効果を,超高真空環境での走査電子顕微鏡において電子ビームに膜を曝すことにより調べた。照射プロセスが,材料の移動度及びキャリア密度に大きな影響を与え,コンダクタンスが,特異な時間依存緩和挙動を示すことが分かった。活性MoS₂層及び誘電体層が電荷トラッピングサイトを生成し,多重トラッピング及び熱放出過程が輸送及び移動度特性を決定することを示唆した。電子ビーム照射は,欠陥の形成を促進し,MoS₂の電気的特性に影響を与えた。本研究は,MoS₂の原子層の電子的特性における欠陥の重要な役割及び電子ビーム照射効果を明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *単一層 ,  *化学蒸着 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  基板 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  コンダクタンス ,  *キャリア移動度 ,  温度依存性 ,  *キャリア密度 ,  熱放射 ,  *電子照射 ,  走査電子顕微鏡 ,  *点欠陥 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *照射損傷 ,  キャリア捕獲 ,  顕微鏡観察 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  電子ビーム照射

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： CVD ,  成長 ,  単層 ,  MoS2 ,  ドメイン ,  欠陥 ,  輸送 ,  電子 ,  照射効果