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J-GLOBAL ID:201502288389508376   整理番号:15A0522748

ジアルキル化ベンゾチエノベンゾチオフェンを電子供与体として含む層状結晶性供与体-受容体半導体に基づくn-型電界効果トランジスタ

N-type field-effect transistors based on layered crystalline donor-acceptor semiconductors with dialkylated benzothienobenzothiophenes as electron donors
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 1976-1981  発行年: 2015年03月07日 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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筆者らは,供与体として2,7-ジアルキル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン(diCn-BTBT;n=4,8,及び12),及び受容体としてテトラシアノキノジメタン(FmTCNQ;m=0,2,及び4)の随意にフッ素置換された誘導体からなる一連の分子供与体-受容体電荷移動(CT)化合物の構造的,電子的,及び電界効果トランジスタとしての特性を報告する。(diCn-BTBT)(FmTCNQ)は,アルキル鎖長の長さとは無関係に,交互のπ共役層とアルキル鎖相からなる同形層状結晶構造を形成する。本化合物は,供与体-受容体相互作用に従って分極した独特のダブルピークのCT吸収バンド特性を示す。これらの単結晶に基づく電界効果トランジスタは,比較的大きな電界効果移動度(0.4cm2V-1s-1)を示し,そのp型とn型作用が,TCNQ中のフッ素置換の変化によって調節される。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  分子化合物 
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