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J-GLOBAL ID：201502289213959459   整理番号：15A0295354

有機金属気相成長法によって成長させたバナジウムドープGaAs層のフォトリフレクタンス特性評価

Photoreflectance characterization of vanadium-doped GaAs layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy

著者 (6件)： BILEL C. (Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia) ,  FITOURI H. (Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia) ,  ZAIED I. (Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia) ,  BCHETNIA A. (Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia) ,  REBEY A. (Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia) ,  JANI B. El (Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 31  ページ： 100-105  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相成長法によってGaAs基板上に成長させたバナジウムドープGaAs(GaAs:V)層を評価した。試料の伝導率をHall効果測定によってチェックし,伝導率は,電子濃度が2×10¹³から2×10¹⁷cm^-3のn形である。フォトリフレクタンス技術(PR)を用いてGaAsの光学特性に及ぼすバナジウムドーピングの影響を研究する。実験結果から,ビルトイン電場Fと広がりパラメータΓ₀が,Vドーピング濃度と共に増加することが分かる。その上に,GaAs:V試料のビルトイン電場と広がりパラメータの温度依存性をPRによって調査した。このパラメータは,温度の上昇と共に増加することが観察された。温度の減少と共にビルトイン電場が減少するのは,光起電力効果によるものである。有機金属気相成長法によってGaAs基板上に成長させたバナジウムドープGaAs(GaAs:V)層を評価した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *バナジウム ,  *MOCVD ,  フォトリフレクタンス ,  温度依存性 ,  電気伝導率 ,  Hall効果 ,  光学的性質 ,  電場 ,  光起電力
準シソーラス用語： ビルトイン電場 ,  有機金属気相成長法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属気相成長法 ,  成長 ,  バナジウム ,  ドープ ,  GaAs ,  フォトリフレクタンス ,  特性評価