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J-GLOBAL ID：201502289513559738   整理番号：15A0659027

均一,多層GaZnO_xに基づく抵抗ランダムアクセスメモリにおける過酸化水素を用いた相転移による高信頼性スイッチング

Highly reliable switching via phase transition using hydrogen peroxide in homogeneous and multi-layered GaZnO_x-based resistive random access memory devices

著者 (5件)： PARK Sung Pyo (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei Univ., 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Republic ...) ,  YOON Doo Hyun ,  TAK Young Jun ,  LEE Heesoo ,  KIM Hyun Jae
資料名： Chemical Communications  (Chemical Communications)
巻： 51  号： 44  ページ： 9173-9176  発行年： 2015年06月04日 
JST資料番号： D0376B  ISSN： 1359-7345  CODEN： CHCOFS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,溶液処理ガリウムドープ酸化亜鉛(GaZnO_x)抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子の抵抗スイッチング特性を,過酸化水素を用いて改良するための有効手法を提案した。その結果,溶液処理GaZnO_xRRAM素子が低コストRRAMの開発のための候補のひとつとなることを示した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  *スイッチング ,  *相転移 ,  多層膜 ,  *酸化亜鉛 ,  ガリウム ,  過酸化水素 ,  原価低減 ,  ドーピング
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  高信頼性 ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗ランダムアクセスメモリ ,  溶液処理

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多層 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  過酸化水素 ,  相転移 ,  高信頼性 ,  スイッチング