a-Si:H薄膜における水素状態,脱水素化処理およびa-Si:Hのナノ秒パルスレーザ結晶化への水素の影響の研究

VOLODIN V. A.; VOLODIN V. A.; GALKOV M. S.; GALKOV M. S.; SAFRONOVA N. A.; SAFRONOVA N. A.; KAMAEV G. N.; KAMAEV G. N.; ANTONENKO A. H.; ANTONENKO A. H.; KOCHUBEY S. A.

文献

J-GLOBAL ID：201502289976695789 整理番号：15A0562978

a-Si:H薄膜における水素状態,脱水素化処理およびa-Si:Hのナノ秒パルスレーザ結晶化への水素の影響の研究

Study of hydrogen states in a-Si:H films, dehydrogenization treatments and influence of hydrogen on nanosecond pulse laser crystallization of a-Si:H

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資料名：
巻： 9440 ページ： 94400G.1-94400G.14 発行年： 2014年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本研究の目的は,シリコン-水素(Si-H)結合の伸縮振動によるラマン散乱の偏光依存性を決定して,対応するラマンテンソルの形式を見出すことです。Si-H結合のラマン散乱の偏光依存性の計算と実験結果,a-Si:H薄膜のパルスレーザ結晶化:水素の影響を述べた。プラズマ増強化学蒸着(PECVD)法でa-Si:H薄膜を作製して,最大40%の水素原子を含んでいた。異なった偏光におけるラマン強度の分析によって,Si-HとSi-H₂結合のためのラマンテンソルを決定した。最大1μm厚のa-Si:H薄膜の脱水素化のための領域を見出した。堆積直後と脱水素化薄膜のパルス結晶化のために308nm波長・10nsのパルス持続時間を有するナノ秒パルスXeClレーザを活用した。高い水素濃度を有するa-Si:H薄膜のためにより以前に研究されたように,結晶化のための閾値がレーザアブレーションの閾値に非常に近い。損傷と水素膨れなしでa-Si:H薄膜のパルスレーザ結晶化のための水素の最適濃度は10-15%より高くなければならないことを本研究は提示した。

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半導体薄膜

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