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J-GLOBAL ID：201502289983846750   整理番号：15A0543295

GGA+U法によるSr₂FeNbO₆に関する固体電子構造解析

First-principles energy band calculation of Sr₂FeNbO₆ crystal using GGA+U method

著者 (6件)： 二宮翔 (北九州工高専) ,  小袋由貴 (九州工大 大学院) ,  松嶋茂憲 (北九州工高専) ,  中村裕之 (北九州工高専) ,  新井正男 (物質材料機構) ,  小林健吉郎 (静岡大 大学院)
資料名： 北九州工業高等専門学校研究報告(Web)  (Research Report of National Institute of Technology, Kitakyushu College (Web))
号： 48  ページ： 61-64 (WEB ONLY)  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： U0250A  ISSN： 2185-7598  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 二重ペロブスカイト型構造を持つSr₂FeNbO₆は燃料電池の電極材料や可視光応答型光触媒材料として注目されている。これらの物性を理解するには価電子帯から伝導帯にわたる固体電子構造を明らかにしなければならない。本研究では,理論的な磁気モーメントの値を求めるためd電子間のCoulomb相互作用を半経験的に取り入れ(GGA+U法),第1原理計算を精度の高いFLAPW法で実施した結果について述べている。Sr₂FeNbO₆のバンド計算の結果,A型反強磁性スピン配列が最安定構造である,GGA法では再現できないバンドギャップや反強磁性電子構造がGGA+U法により再現できる,実験値のEg=2.06eVを再現する有効クーロン相互作用は9.5eVである,価電子帯上部はO2pにより,伝導帯下端はNb4dとO2pが混成している,エネルギーバンド図からSr₂FeNbO₆の光学遷移は間接遷移型である等がわかった。

シソーラス用語： *ペロブスカイト型結晶 ,  *ニオブ酸塩 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *鉄化合物 ,  燃料電池 ,  電極材料 ,  可視光 ,  光触媒 ,  *電子構造 ,  APW法 ,  バンド構造 ,  *反強磁性 ,  *密度汎関数法 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  軌道 ,  電子遷移
準シソーラス用語： 二重ペロブスカイト型 ,  FLAPW法 ,  GGA+U ,  価電子帯 ,  伝導帯 ,  混成軌道 ,  間接遷移

分類 (1件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： GGA+U ,  固体 ,  電子構造 ,  解析