文献

J-GLOBAL ID：201502290360537126   整理番号：15A0287133

軽量マイクロ波吸収体への応用に向けた無電解めっきによるAg被覆中空微小球の作製

Preparation of Ag-coated hollow microspheres via electroless plating for application in lightweight microwave absorbers

著者 (2件)： KIM Wook-Joong (Dep. of Advanced Materials Engineering, Chungbuk National Univ., Cheongju 361-763, KOR) ,  KIM Sung-Soo (Dep. of Advanced Materials Engineering, Chungbuk National Univ., Cheongju 361-763, KOR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 329  ページ： 219-222  発行年： 2015年02月28日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 軽量マイクロ波吸収体への応用に向けて無電解めっきにより中空シリカ微小球上に高伝導度Ag薄膜を被覆した。Agめっきは増感とそれに続くめっきの2段プロセスで行われた。Ag被覆微小球とシリコーンゴム母材の複合材料試料について複素誘電率と複素透磁率を反射/透過法で決定した。微小球の大表面積のために,一様なAg被覆を実現するためには相対的に高濃度のAgNO₃が必要になる。加えて,遅いめっきに向けて低濃度のフルクトース還元剤が推奨される。Ag被覆微小球の見かけの電気抵抗はグレインのモルフォロジーに大きく依存する。薄く,一様なAg被覆粒子は0.1Ωと低い電気抵抗によって特性付けられる。微小球の電気抵抗が低くなるほど,複合材料試料の誘電率は高くなる。これは伝導性微小球の間の空間電荷分極の増大の結果である。マイクロ波吸収能は誘電損失の増加のために微小球の電気抵抗の減少を共に増大する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *吸収体 ,  *ミクロスフェア ,  *銀 ,  *無電解めっき ,  *二酸化ケイ素 ,  *シリコーンゴム ,  硝酸 ,  還元剤 ,  *誘電率 ,  *誘電損失 ,  被覆 ,  *中空体 ,  銀めっき ,  電気抵抗率 ,  セラミック ,  電磁干渉 ,  ヘキソース ,  ケトース
準シソーラス用語： *マイクロ波吸収体

分類 (3件)： 雑音一般  (ND04010J) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  無電解めっき  (WC08024S)

物質索引 (1件)： フルクトース

タイトルに関連する用語 (7件)： 軽量 ,  マイクロ波吸収体 ,  応用 ,  無電解めっき ,  Ag ,  中空微小球 ,  作製