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J-GLOBAL ID：201502291863960162   整理番号：15A0392998

フォトルミネセンスと数値シミュレーションを使って調べた補償ボロンドープシリコンにおける光誘起劣化の動力学

Kinetics of light-induced degradation in compensated boron-doped silicon investigated using photoluminescence and numerical simulation

著者 (5件)： FRASER K. (Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR 5270, Univ. of Lyon, INSA-Lyon, 20 rue Albert Einstein, 69621 ...) ,  BLANC-PELISSIER D. (Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR 5270, Univ. of Lyon, INSA-Lyon, 20 rue Albert Einstein, 69621 ...) ,  DUBOIS S. (CEA, LITEN, INES, 50 av. du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  VEIRMAN J. (CEA, LITEN, INES, 50 av. du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  LEMITI M. (Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR 5270, Univ. of Lyon, INSA-Lyon, 20 rue Albert Einstein, 69621 ...)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 33  ページ： 49-57  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンの光誘起劣化を実時間での観察にフォトルミネセンスを使った。結果と光誘起ボロン-酸素欠陥の生成にたいする理論モデルによる文献からの寿命減衰データとを整合させるのに数値シミュレーションを用いた。飽和濃度が多数キャリア濃度の関数とした徐々に生成される欠陥SRCの既存モデルは,pおよびn型試料のある結果を説明出来ないことが分かった。飽和SRC濃度が照明下でのトータル正孔濃度で制御されるという新しいモデルを提案した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 太陽光発電 ,  *ケイ素 ,  *光劣化 ,  *光ルミネセンス ,  モデリング ,  シミュレーション ,  太陽電池
準シソーラス用語： PV【太陽光発電】 ,  シリコン ,  フォトルミネセンス ,  *数値シミュレーション

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： フォトルミネセンス ,  数値シミュレーション ,  補償 ,  光誘起 ,  動力学