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J-GLOBAL ID：201502294764214849   整理番号：15A0240254

PECVD低残留応力窒化ケイ素の解析とCMUTデバイスの製作最適化

PECVD low stress silicon nitride analysis and optimization for the fabrication of CMUT devices

著者 (7件)： BAGOLINI Alvise (Fondazione, Bruno Kessler (FBK), Trento, ITA) ,  SAVOIA Alessandro Stuart (Universita Roma Tre, Roma, ITA) ,  PICCIOTTO Antonino (Fondazione, Bruno Kessler (FBK), Trento, ITA) ,  BOSCARDIN Maurizio (Fondazione, Bruno Kessler (FBK), Trento, ITA) ,  BELLUTTI Pierluigi (Fondazione, Bruno Kessler (FBK), Trento, ITA) ,  LAMBERTI Nicola (Universita di Salerno, Fisciano (SA), ITA) ,  CALIANO Giosue (Universita Roma Tre, Roma, ITA)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 25  号： 1  ページ： 015012,1-12  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電容量型超音波トランスデューサ(CMUT)は,小型超音波変換器として注目されている。窒化ケイ素膜の残留応力の制御が課題である。本稿では,高速蒸着と低残留応力のPECVD法による窒化ケイ素膜を使ったCMUTデバイスの製作についての二つの技術的オプションについて報告した。蒸着速度と残留応力および電気特性間のトレードオフについて検討した。第一のオプションは,比較的高速蒸着速度(~100nm・min^-1)と低圧縮残留応力の窒化ケイ素2層で,CMUTsの機械的サポートとして使う窒化ケイ素膜形成に適している。第二のオプションは,混合周波数低残留応力の優れた電気絶縁性を持つ窒化ケイ素である。界面密度の残留応力,屈折率,蒸着速度と厚みに対する影響について報告した。応力安定性のスイートスポットは,界面密度0.1nm^-1で,このときアニーリング後残留応力が87MPaとなった。この最適化した窒化ケイ素を使ったCMUTデバイスの製作についても報告した。そして,超音波イメージングへの適用結果を示した。

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  残留応力 ,  窒化ケイ素 ,  *超音波変換器 ,  *マイクロマシニング ,  堆積速度 ,  蒸着 ,  電気絶縁 ,  超音波画像 ,  最適化 ,  MEMS
準シソーラス用語： *CMUT ,  *PECVD ,  蒸着速度 ,  超音波イメージング ,  電気絶縁性

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  音響信号処理  (BB03050C)

タイトルに関連する用語 (7件)： PECVD ,  残留応力 ,  窒化ケイ素 ,  解析 ,  CMUT ,  製作 ,  最適化