酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた高感度pHセンサの開発

岩松新之輔; 阿部泰; 矢作徹; 小林誠也; 竹知和重; 田邉浩

文献

J-GLOBAL ID：201502296430669910 整理番号：15A0733536

酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた高感度pHセンサの開発

High Sensitivity pH Sensors based on Amorphous Indium-gallium-zinc Oxide Thin-film Transistors

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資料名：
巻： 135 号： 6 ページ： 192-198 (J-STAGE) 発行年： 2015年
JST資料番号： L3098A ISSN： 1341-8939 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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分析機器 , トランジスタ

引用文献 (16件)：

(1) K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono : “Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors”, Nature, Vol. 432, No. 25 pp. 488-492 (2004)
(2) K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono : “Amorphous Oxide Semiconductors for High-Performance Flexible Thin-Film Transistors”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 45, No. 5B, pp. 4303-4308 (2006)
(3) S. Iwamatsu, K. Takechi, T. Yahagi, Y. Abe, H. Tanabe, and S Kobayashi : “Fabrication of suspended amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors using bulk micromachining techniques”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 53, No. 6, pp. 066503-066509 (2014)
(4) T. Kawamura, H. Wakana, K. Fujii, H. Ozaki, K. Watanabe, T. Yamazoe, H. Uchiyama, and K. Torii : “Oxide TFT Rectifier Achieving 13.56-MHz Wireless Operation”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 59, No. 11, pp. 3002-3008 (2012)
(5) H.-W. Zan, C.-H. Li, C.-C. Yeh, M.-Z. Dai, H.-F. Meng, and C.-C. Tsai : “Room-temperture-operated sensitive hybrid gas sensor based on amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors”, Applied Physics Letters, Vol. 98, No. 25, pp. 253503-253505 (2011)

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