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J-GLOBAL ID：201502298957337153   整理番号：15A0733686

塩化アンモニウムを利用する高温冶金塩素化プロセスによるCu(In,Ga)Se₂半導体化合物の蒸発挙動

Evaporation Behaviors of Cu(In,Ga)Se₂ Semiconductor Compound via Pyrometallurgical Chlorination Process Utilizing Ammonium Chloride

著者 (3件)： MORI Yurina (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Univ.) ,  TERAKADO Osamu (Dep. of Molecular Design and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Univ.) ,  HIRASAWA Masahiro (Dep. of Molecular Design and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Univ.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 56  号： 6  ページ： 883-888 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 元素の塩化物の蒸発によって前途有望な光電子半導体材料である二セレン化銅インジウムガリウム,Cu(In,Ga)Se₂から元素を回収するために塩素化試薬として塩化アンモニウムを利用する塩素化プロセスを用いた。塩化アンモニウムが存在するモデルのサンプルを加熱すると塩素化が起きることが判った。ガス相中の酸素分圧,塩化アンモニウムの組成や反応温度のようなプロセスパラメータの影響を調べた。酸素分圧を増加させると,回収が相当増加した。インジウムとガリウムの塩化物は400K辺りの温度域で堆積し,塩化セレンは673Kでの反応では320K未満のより低い温度域で濃縮した。残渣物中に銅を大部分は検知した。一方,1073Kで塩化銅の蒸発を観察した。これらの現象は,金属塩化物の蒸気圧の差異に起因する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 塩化アンモニウム ,  冶金反応 ,  乾式製錬 ,  塩素化 ,  *セレン化物 ,  *蒸発 ,  固体素子 ,  資源回収 ,  プロセスパラメータ ,  分圧 ,  反応温度 ,  塩化銅 ,  塩化セレン ,  塩化インジウム ,  塩化ガリウム ,  残留物 ,  蒸気圧 ,  分離 ,  酸素分圧
準シソーラス用語： 光電子デバイス

分類 (2件)： 資源回収利用  (SC05060V) ,  太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (23件)：

• 1) M. Konagai, M. Yamaguchi and M. Kondo (ed.): Fundamentals and Application of Solar Cells, (Baifukan, Tokyo, 2010).
• 2) J. Poortmans and V. Arkhipov (ed.): Thin Film Solar Cells: Fabrication, Characterization and Applications, (Wiley, Chichester, 2006).
• 3) H. J. Möller (ed.): Semiconductors for Solar Cells, (Artech House, Inc., Boston, 1993).
• 4) T. Klinkert, M. Jubault, F. Donsanti, D. Lincot and J.-F. Guillemoles: Thin Solid Films 558 (2014) 47–53.
• 5) A. Zuser and H. Rechberger: Resour. Conserv. Recycling 56 (2011) 56–65.

タイトルに関連する用語 (7件)： 塩化アンモニウム ,  塩素化 ,  プロセス ,  Cu ,  Ga ,  蒸発 ,  挙動