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J-GLOBAL ID：201502299260792509   整理番号：15A0202802

高抵抗のバッファ層を通るSiイオン注入β-Ga₂O₃中の異常なFeの拡散とGe₂O₃トランジスタ構造中のその抑制

Anomalous Fe diffusion in Si-ion-implanted β-Ga₂O₃ and its suppression in Ga₂O₃ transistor structures through highly resistive buffer layers

著者 (5件)： WONG Man Hoi (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 3  ページ： 032105-032105-5  発行年： 2015年01月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 固体内拡散 ,  鉄 ,  イオン注入 ,  *酸化ガリウム ,  化合物半導体 ,  不純物補償 ,  アクセプタ ,  *MOSFET ,  バッファ層 ,  *異常拡散 ,  二次イオン質量分析 ,  ドーピング ,  ホモエピタクシー ,  照射損傷 ,  温度依存性 ,  格子欠陥 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 真性欠陥

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： バッファ層 ,  Siイオン ,  注入 ,  β-Ga2O3 ,  Fe ,  拡散 ,  トランジスタ