特許

J-GLOBAL ID：201503000339097392

シリコン基板の加工方法

発明者： 蜂谷 智央 ,  秋永 広幸 ,  秦 信宏
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-061923
公開番号（公開出願番号）：特開2015-185747
出願日： 2014年03月25日
公開日（公表日）： 2015年10月22日
要約：

【課題】大なる傾角を有する逆テーパ形の孔加工であっても精度良く高い制御性で加工可能なシリコン基板の加工方法の提供。【解決手段】セルフバイアスを印加しつつシリコン基板に孔をエッチング加工するエッチング工程と、孔の内面を覆うように保護膜を与える保護膜付与工程と、を交互に繰り返し与える方法である。エッチング工程では、孔の底部の保護膜を除去しつつその間隙を介してシリコン基板をエッチングする。ここで、保護膜付与工程を挟む直前及び直後のエッチング工程では、保護膜の除去される間隙の面積をより大としていく。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シリコン基板上のマスク窓を介してプラズマエッチングによってその下部に逆テーパ形の孔加工を与える方法であって、 セルフバイアスを印加しつつ前記シリコン基板に孔をエッチング加工するエッチング工程と、前記孔の内面を覆うように保護膜を与える保護膜付与工程と、を交互に繰り返し与え、 前記エッチング工程では、前記孔の底部の前記保護膜を除去しつつその間隙を介して前記シリコン基板をエッチングし、前記保護膜付与工程を挟む直前及び直後の前記エッチング工程では、前記保護膜の除去される前記間隙の面積をより大とすることを特徴とするシリコン基板の加工方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 105A

Fターム (20件)：

5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB08