特許
J-GLOBAL ID：201503000926150840

水素ガス製造用シリコン原料A、水素ガス製造用シリコン原料B、水素ガス製造用シリコン原料Aの製造方法、水素ガス製造用シリコン原料Bの製造方法、水素ガス製造方法および水素ガス製造装置

発明者：
下司 辰郎

下司 辰郎 について

, 
池内 正彦

池内 正彦 について


出願人/特許権者：
株式会社TKX

株式会社TKX について


代理人 (5件)： 楠本 高義 ,  中越 貴宣 ,  三雲 悟志 ,  森 優 ,  浅野 哲平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-234272
公開番号（公開出願番号）：特開2015-093808
出願日： 2013年11月12日
公開日（公表日）： 2015年05月18日
要約：
【課題】シリコン粒子とアルカリ水溶液の反応による水素ガス製造において、シリコン粒子とアルカリ水溶液の反応を適度に抑制して、連続的に水素ガスを得る。【解決手段】水素ガス製造用シリコン原料Aは、シリコン粒子と油分を含む。油分は、シリコン粒子の0.1重量%〜10重量%である。水素ガス製造用シリコン原料Aの製造方法は、シリコン粒子と油分と水を含むシリコン屑108を準備する工程、シリコン屑108を遠心分離または濾過して、シリコン粒子と油分と少量の水を含む固形物A112を製造する工程、固形物A112を乾燥して、シリコン粒子と油分を含む固形物B115を製造する工程、固形物B115に水116を混合してスラッジA117を得る工程を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン粒子と、前記シリコン粒子の0.1重量%〜10重量%の油分と、水を含む水素ガス製造用シリコン原料A。
IPC (3件)：
C01B 3/06 ,  C01B 33/02 ,  C01B 3/56
FI (3件)：
C01B3/06 ,  C01B33/02 Z ,  C01B3/56 Z
Fターム (22件)：
4G072AA01 ,  4G072BB05 ,  4G072DD03 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072GG02 ,  4G072HH01 ,  4G072HH40 ,  4G072JJ38 ,  4G072JJ41 ,  4G072JJ42 ,  4G072JJ47 ,  4G072LL06 ,  4G072QQ20 ,  4G072RR12 ,  4G072TT01 ,  4G072UU30 ,  4G140FA02 ,  4G140FB01 ,  4G140FB02 ,  4G140FC04 ,  4G140FC09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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