特許

J-GLOBAL ID：200903024438568990

水素製造装置および水素製造方法

発明者： 寺野 稔 ,  杉野 太加良 ,  村椿 良司 ,  高沢 義昭 ,  清水 多可美
出願人/特許権者： 株式会社スギノマシン
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370812
公開番号（公開出願番号）：特開2000-191303
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置製造工程において多量に発生するシリコン屑を利用して、純度の高い水素を低コストで製造できる装置を提供する。【解決手段】 半導体装置製造ラインに並設される水素製造装置。アルカリ液とシリコンとの混合により水素発生反応を行うための反応槽と、該反応槽へ前記ラインから発生するシリコン屑を集めて原材料として供給するシリコン供給手段と、反応槽へアルカリ液を供給するアルカリ液供給手段と、反応槽の内圧を調整する圧力調整手段と、アルカリ液を所定温度に調整する温度調整手段と、反応槽内で発生した水素ガスを槽外へ回収する水素回収手段と、を備えた。

請求項（抜粋）：

半導体装置製造ラインに並設され、アルカリ液とシリコンとの混合により水素発生反応を行うための反応槽と、該反応槽へ前記ラインから発生するシリコン屑を集めて原材料として供給するシリコン供給手段と、反応槽へアルカリ液を供給するアルカリ液供給手段と、反応槽の内圧を調整する圧力調整手段と、アルカリ液を所定温度に調整する温度調整手段と、反応槽内で発生した水素ガスを槽外へ回収する水素回収手段と、を備えたことを特徴とする水素製造装置。

IPC (2件)：

C01B 3/06 ,  B09B 3/00

FI (2件)：

C01B 3/06 ,  B09B 3/00 304 P

Fターム (15件)：

4D004AA16 ,  4D004AC05 ,  4D004BA03 ,  4D004BA10 ,  4D004CA36 ,  4D004CA37 ,  4D004CB02 ,  4D004CB05 ,  4D004CB13 ,  4D004CB31 ,  4D004CB36 ,  4D004CB41 ,  4D004CC12 ,  4D004DA02 ,  4D004DA20

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 特公昭49-004637
  
• 特公昭49-020878
  
• 金属シリコンの再利用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-313289   出願人：川崎製鉄株式会社
• シリコン片の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-064551   出願人：高純度シリコン株式会社
• 薬液回収精製装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-208611   出願人：日本酸素株式会社
• 硼素含有水の処理装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-242362   出願人：オルガノ株式会社
• 特開昭61-194729
  
• 特開平4-059601
  
• 特開昭59-045901